ЛПИ-112

Полупроводниковый инжекционный лазер ЛПИ-112

Также это изделие может называться: ЛПИ 112, ЛПИ112, lpi-112, lpi 112, lpi112.

ЛПИ-112 лазер полупроводниковый инжекционный импульсного режима предназначен для использования в качестве мощного источника ИК лазерного излучения.

Лазеры ЛПИ-112 используются в устройствах оптической локации, спецтехнике, медицине.

Технические характеристики ЛПИ-112:

Максимальная мощность импульса лазерного излучения - не менее 200 Вт.

Длина волны лазерного излучения - от 850 нм до 930 нм.

Длительность импульсов лазерного излучения (по уровню 0,5) - не менее 0,2 мкс.

Частота повторения импульсов лазерного излучения для ЛПИ-112 - 110 Гц.

Ток потребления - 200 мА.

Напряжение питания:

- в цепи управления - 24 В;

- лазера - не более 100 В.

Лазеры выполнены:

- с применением матриц арсенид-галиевых излучающих лазерных диодов;

- в цилиндрических металлических корпусах с выводом излучения через стеклянное окно.

Конструктивное исполнение - со встроенными гибридными микросборками генераторов токов накачки и без них.

Варианты исполнения лазеров ЛПИ-112 в зависимости от вида приёмки:

- отдел технического контроля - ЛПИ-112 ОТК;

- особо стойкие (особо стабильные) - ОСЛПИ-112, ЛПИ-112 ОС;

- приемка заказчика - ЛПИ-112 ПЗ;

- военная приемка - ЛПИ-112 ВП.

Написать отзыв